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IDONUS,紫外LED光刻曝光系统
IDONUS,紫外LED光刻曝光系统的图片
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瑞士
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产品简介

Idonus基于高功率LED和高档微透镜阵列的基础上提出了一个 GE MING性的紫外光照系统。

这个产品应用于光刻胶曝光工艺,适用多种基材。光照质量保证了高的同质性的临界尺寸和整个面上的侧壁角。实际上,由于使用了一种完全远心的光学,我们的设计提供了**的稳定光照条件,即整个表面的高同质性的强度和低的发散角。

可以根据用户需求进行产品开发定制,可以极大缩短您的想法变成产品的时间。

LED BENEFITS优点

目前随着LED技术的发展,紫外LED表现出了比汞光源更大的优势。

● 长寿命LED,测试不需要耗材

● 不需要每天校准,即刻稳定光照

● 有限的发热,这降低了空气冷却费用

● 低功率消耗

● 光源仅仅在曝光时开启(不需要快门)

● 用户可以根据需求进行照射系统定制。

也可以按照用户旧机器的尺寸设计照射系统,以替代旧的机器上的汞灯照射系统。

TYPICAL PERFORMANCES 典型参数

分辨率 :0.5 μm

光学功率 :20 to 200 mW/cm2

曝光区域 :50x50 to 300x300 mm2

光学辐照不均匀性 : ±2%

ZUI大发散角(FWHM) :±1.5°to 3°

波长 :365 / 385 / 405 nm

光谱半宽幅 :12 nm

设备尺寸 : 65x30x30 cm3

总功率 :20 to 1200 W

EXAMPLE SYSTEM SPECIFICATIONS 系统规格举例

可能的曝光系统的不同配置如下表所示,系统可以根据您的需要设计。

System Type 系统型号

A

B

C

Resolution [um] 分辨率

2

1

1

Optical power [mW/cm2] 光学功率

42

152

165

Exposition area [mm2] 曝光面积

80x80

100x100

300x300

Optical irradiance inhomogeneity [%]

光照幅度不均匀性

±2

±2

±2

Max divergence angle [°] (Full Width Half Maximum)

**发散角(半宽幅)

±2.5°

±1.5°

±1.5°

Wavelength [nm] 波长

405

365

385

Spectrum half width [nm] 光谱半宽幅

12

12

12

System size [cm] 系统尺寸

65x30x30

65x30x30

1100x60x60

Power consumption [W] 功耗

20

180

1200

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